Next generation inspection Technology
Provecard / Station
프로브 카드 / 스테이션
초미세 소자 전기검사 기술
iEPt™는 개별 탄성 프로브 기술(Individual Elastic Probe Technology)로서, 완전한 수직 형태의 초미세 핀이 개별적 탄성 구조를 갖춘 형태입니다.
핀 구경(<5µm) 및 피치(<10µm)에서 기존 기술 대비 압도적
고유 기술을 바탕으로 탄성체 위에 프로브 핀을 형성하여, 별도 스프링 구조 없이도 수직 형태의 핀으로 overdrive 구현
완전한 수직 방향 움직임으로 소자에 가해지는 물리적 흠집(scrub) 최소화
수직 구조의 핀으로 LED 소자 손상이 최소화되고 측정 시간이 짧으며,
핀이 마모되지 않아 프로브 카드 자체의 수명도 최대화
Scrub이 발생하지 않아 소자 오염을 최소화 & Probe Card의 수명 최대화
Probe Pin의 Contact이 우수하여 전류 누설 최소화 & 측정시간 최소화
핀의 끝단(Tip)을 볼록/오목/평판하게 변경 가능하여 HBM 등 다양한 소자 적용 가능
탄성 레이어로 Overdrive를 구현하여 핀 압력을 최소화함으로 소자 손상 방지
당사 프로브카드 기술적용 최적화를 위한 프로브스테이션 개발
고객사의 양산설계에 커스터마이징된 1µm 범위 이내 초정밀 동작 미세제어 & 멀티컨택 기술
정교한 멀티컨택 가능, 기존기술 대비 300배 빠른 초당 3,200die 측정
초미세제어 가능 < ±1.0µm 범위 이내의 정밀도
iEPt는 세계 최초로 전사 공정 이전에 LED의 EL 검사를 가능케 하고,
소자 손상의 최소화, 프로브 카드의 수명 극대화, 검사 시간 단축을 달성
2023년 현재 512ch 개발 완료:
초당 3,200die 측정 – 기존 기술 대비 속도
2025년 2,048ch 개발 목표 :
초당 12,800die 측정 기존 기술 대비 속도
프로브 마크 평가
오버드라이브 10-20µm 이내에서프로브니들의 접촉 마크의 크기와 위치가 안정권
반복 측정 후 LED 소자의 영향 평가
동일 소자에 대하여 1,000회 반복 측정 이후에도Vf1값이 1.900V 수준을 유지하며 성능 저하가 없음을 증명
프로브 카드 수명 평가
1백만 번 측정 이후에도 프로브 카드 전압 측정값이0.05V 이하를 만족하며, 핀의 마모값이 측정오차 이내
iEPt™
나노엑스의 iEPt™는
세계 최초로 3D NEMS 기술을 적용,
MicroLED 프로브 시장의 표준을 제시합니다.
당사가 독자적으로 개발한 iEPt™ (individual Elastic Probe technology)는 초미세 Pitch를 구현해마이크로/나노 반도체 소자의 전계발광 (Electro Luminescence, “EL”) 검사를 가능하게 합니다.
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